亚阈值设计
能不进入亚阈值当然尽量不要咯，如果没有省电流的需求
我的理解是只有输入对管进入亚阈值，希望得到正解
其实很少区分什么亚阈值不亚阈值的，只要满足功耗等指标就行，管它在什么区。
现在就是在低功耗设计方面的工作
我也不太确定哦
如果这样的话，假设一个差分输入的运放，输入对管和电流镜负载都工作在亚阈值的话，那么输入对管和电流镜负载管的跨导Gm大小相当，这样的话这个运放的失调和噪声不就会相对大一点吗?这是我的理解，不知道正不正确
学生是吧?。
这个我做过，可以说一下。
当然是输入管在subthreshold.所以这两个管子的W/L非常大。一般你也要做低带宽，所以你的L也要大，为了减小1/f 噪声
其他的管子尽量在饱和区，所以你的L会非常大，W会比较小。
谢谢你的回复，我是刚入职不久的，在学校没有基础过低功耗设计。我也是觉得应该只是输入对管工作在亚阈值区，其他的管子都尽量工作在饱和区，这样的话运放的失调和噪声性能会相对好一点。但是，看到有一些设计中所有的管子都是工作在亚阈值区的，这样做的话又是出于什么考虑呢?
其他管子如果加大W或减小电流对电流匹配没好处，晶体管进入亚阈值去。在功耗限制的情况下，W取大对匹配至少没有害处，并且可以减小噪声，可以降低电源电压。
你好，你讲的我还有一点不太明白。你说的在低功耗设计下，W加大匹配性没有害处，这个我觉得从版图上来讲确实是没有坏处，对输入对管来说也是这样，当时对于电流镜来说，如果想匹配性好不是应该是MOS管的过驱动电压做大使管子的Gm做小吗，可以通过加大管子的栅长来达到，这样的话电流镜的失调和噪声性能多会比较好。但是，你说的W取大对匹配性没有害处，且可以较小噪声我觉得好像对于电流镜这些就不太实用了啊。这是我的理解不知道对不对，希望你指导一下啊
电流镜等限制电流大小的管子，设计在亚阈值区就ok
增加L确实匹配更好，但增加W匹配不变，所以我说没有害处。
好的，知道啦谢谢啊
谢谢你的回复啊！如果将电流镜这些管子都设计在亚阈值区，这样的话整个AMP的失调和噪声性能不就会变差吗?这是我的理解啊，不知道对不，帮忙解释一下啊
再顶一下，欢迎大家进来讨论啊
这是肯定的，不可能好处都捞吧。另外offset和管子的W*L成反比，沟道调制和L成反比。
L取大一些，flicker噪声小很多，mos管的热噪声肯定是没有办法的。而且当你的bias电流设计值很小时，输入对管或者负载管肯定就在亚阈值。
如果我将负载管的栅长设的比较大的话，还是可以将负载管设计到饱和区的吧
负载管和尾电流镜的宽长比用漏电流饱和公式，输入管宽长比用亚阈值漏电流公式，亚阈值设计之前一定要把设计参数精准计算出来，仿真偏差就会小。低功耗和地电源电压的运放，饱和的尾电流镜和负载管大多数情况是倒比管，而亚阈值区的输入管依旧是正比管。