一种很奇怪的电流源

这个很奇怪吗?左边应该是启动电路，右边是常见的电源电压无关电流产生电路

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左边为什么启动电路?

可以的

左边启动电路，右边PTAT电流。上面有同学回答过了。

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这里启动电路上面的两个pmos尺寸不一样，为什么要这样?

发现基准和电流源电路启动电路都和你的一样，莫非都是LT的片子。还是您是哪位师兄

上电伊始，右边的Q1 和Q2 形成启动管,将左边自偏置电流源的简并点破坏后产生一个电流,形成Q2 Ｂ端的电位以及ＩＢ电流，然后Ｑ２恒定导通产生所需的ＰＴＡＴ电流．左边电流静的偏置电流可以设置Ｑ２ＩＢ电流的大小．实际输出ＰＴＡＴ电流＝IB*Beta.

左边电路上面的PMOS尺寸，M1 20/2,M2 18/2。我仿真的时候，二极管连接的三极管的电流大小和另一个三极管电流大小不一样啊。二极管连接的电流大的多。多出来的电流和ib一起注入左边自偏置电路。所以，直流扫描得不到PTAT电流，输出电流随着输入电压增大而增大。

左边支路的三个串联nmos应该是耗尽型NMOS,做低功耗设计用的.输出阻抗比较高.这样有可能将PNP的B端电压拉到VDD-VBE,这样NPN管的电流就很小了.

左边三个用的是倒比管。尺寸6/450。

那三个串联的就是耗尽型NMOS,倒比的设计是非常正确的,有利于减小漏电流.这个结构,我没猜错,应该是Linear的锂电池管理芯片里面才会用到的.

对的，为什么输出不是一个确定的电流，而是随着输入电压升高而升高?

具体应用,我谈不上,但是感觉没完全吃透人家的思想. 其实耗尽管的饱和导通电流随工艺误差更大,需要很好的工艺才能实现这类高性能.
你可以换一个思路设计这个电流源,用耗尽管和增强管串联,产生一个基准电压+修调,然后用运放的反馈实现一个电流源.但是问题又来了,这个电流源做低功耗设计也是比较难实现的.

嗯。多谢了。

又学到了，谢谢小编和大家

Q1 Q2会有mismatch