关于上华BCD工艺的几个问题

图一
图一为上华0.5um BCD工艺VGS=5V VDS=25V对称HVMOS管。
问题一：管子的GATA 下有一层HN，请问这层的作用是啥?为什么对称HVPMOS gata下没有类似的一层?（见图红色圈内）
问题二：漂移区的NG的作用是啥?（左边蓝色圈内）
问题三管子的宽度为什么按漂移区的N+来算而不是按漂移区来算?

图二
图二为不对称HVNMOS管
问题四：不对称管子的源端为什么要做P_body?作用是啥?
问题五： 为啥高压管的源漏端之间的gata下都有active?

求前辈们指点一二，先谢谢了

求前辈们指点一二，先谢谢了 ！

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RE: 关于上华BCD工艺的几个问题
求前辈们指点一二，先谢了 ！

跟你们的器件拿下结构图 你问他们就行了 纵向的结构图才能讲的清楚原理

没做过工艺，你永远不懂。Vh控制?Gate耐压?源漏耐压?衬底隔离?Delta W&L控制?......................

贴器件截面图更清楚。
加NG，为了提高耐压、减小导通电阻。
P-body为沟道吧

你好，小编能发一份BCD0.5um的工艺库文件?我学习用，谢谢。275063748@qq.com

你好，小编能发一份BCD0.5um的工艺库文件?谢谢。我学习用275063748@qq.com

小编，图二是个DMOS管吧，左右两端是同一个端口D端。GATE中间的源区是它的S端和B端