微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微波和射频技术 > RFIC设计学习交流 > 如何仿真 高频下 MOS电容, 谢谢

如何仿真 高频下 MOS电容, 谢谢

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
论坛里有一些仿真MOS电容的内容,
我都已经看过了。
采用的仿真办法都是只能获得 低频下 MOS电容 特性曲线,如下图所示。




因为论坛里的仿真办法都是利用ac仿真,然后仿交流电流,交流电流和电容成正比,在频率不变的情况下。
利用这种频率相关的方法仿真,无法得到高频下 MOS电容 特性曲线,因为交流电流直接和频率成比例,改变频丝毫不能改变所得曲线的形状,
只是改变了value.
而从理论上讲,MOS电容 在高频下和低频下的特性完全是不同的。
这一点在施敏,Pierret还有其他牛人写的 器件类的书上都可以看到,毫无疑问。
现在求教,怎样仿真,才能得到上图所示的那个 高频曲线,低频曲线可以轻易得到。
先谢谢了。

谢谢大家的关注

用S参数仿真。

不太明白,能详细解释一下吗?
S参数是什么。

又查了一下关于S参数的资料。
但是实在看不太懂,都是RF的内容,对RF一窍不通啊。
麻烦能详细解释下吗?
谢谢了

用什么s-parameter,别把简单的问题搞复杂了
用个电压源,做ac仿真,measure电压源的电流,capacitance = Ii(电压源)/(2*pi*frequency)
Ii(电压源)指的是电压源输出电流的虚部

哥们,麻烦你再仔细看一下我的内容。
你那种方法就是通用的方法,绝对好用,没问题。
但是只能得出 我那个图片中 低频曲线,
就像你所说的 “capacitance = Ii(电压源)/(2*pi*frequency)”,当我改变频率时,只能得到同样形状的曲线,虽然值可以比例变化。

而事实上,由于MOS器件的物体特性,高频和低频电容是有很大区别的,如我上面所说。
我想要得到的是上面的那个高频曲线。
anyway,谢谢你的关注。

没仔细看,不好意思。所谓的高频有多高?几个GHz的频率cap curve应该还是那个图里面的low freq curve

只要会S参数仿真,然后仿出单端口的S参数,用S11转换为Y11,Y11的虚部再转换为电容值就行了



这个。你说的几个GHz的频率都应该是那个low freq curve,实在是和教科书上的说法完全相反。
Pierret的《半导体器件基础》16.4 节和施敏的《半导体器件物理》 4.2节都写到了有关这个问题,
给出的曲线和我在1楼贴的一样,高频和低频的MOS电容是不一样的。 按书中所说的,似乎1MHz就已经是高频了。
anyway, thank you for your attention

这位兄台,你的方法应该是正解,但是我对这个实在是不太了解啊。
坛子里的资料太杂了,我一时没找到我能用的资料,关于如何利用S参数仿真这个。
麻烦问下你,你有相关资料吗?我还是没搞清楚具体怎么仿真啊。
十分感谢你的帮助

不太懂啊

用S参数仿真,设置很简单,然后看输入阻抗或Y参数都可以。

那要看你用什么软件仿真了,总之你只要做:
1 你使用软件的S参数的仿真方法(一定很简单)
2 由S11转化为Y11的公式(一般软件中都有直接得到Y11的选项)
S参数是怎么回事暂时不需要懂

我就用cadence ade 的spectre仿真啊。
应该就是那个sp仿真吧,tran/dc/ac 后面的,
主要是完全不了解S参数,然后也不知道该如何设置port,进行 S参数仿真。

你有什么具体的例子吗?能让我看看借鉴下的。
谢谢了啊

能具体点儿嘛。我还是不太理解啊,
我就是用cadence的ade仿真的,应该如何设置啊?
谢谢了啊

参考cadence自带的例子,y参数,s参数都可以,然后通过calculator得到电容特性曲线。

你指的cadence自带的例子是?
麻烦再指点一下。
谢谢了

我在那本 912页的PDF里,就是那个spectre circuit simulatorreference,
没有找到例子啊。

我觉得你们考虑的方向偏了,这应该看model里是否支持高频低频不同的建模。如果模型不支持,用什么仿真方法都白搭。

这位高人。
你的这个思路,我还真没考虑过。额额额
这个该如何判断呢? 难道去查 工艺库的manual嘛?
我是个TSMC18的工艺,
manual里貌似没写这个啊,用的model就是工艺提供的nmoscap和pmoscap

我手头没有书。但我印象中你给的这个电容曲线是mos电容的曲线,实际上我们平时用的是mos管电容,两个的特征是不同的。既然你是从半导体物理的书中找到这个问题的,那你可以看看是不是这样。mos电容就是 MOS结构,mos管电容有了源漏,所以提供反型层电荷的能力是不同的。从这个意义上说,两者是不同的器件。抛开模型不同的区别,即使两者是同一种器件,我的理解,ac仿不出的未必s参数能仿出,至少从spectre手册上看,它们的基本原理应该是同样的,只是表现方式不同,倒是tran和ac仿真应该有本质区别。而能否仿出来,要看模型是怎么建立的,模型对此有近似,仿真器就是无能为力的。而模型是怎么建立的,那只能看相应模型的paper了。

学习

请教下,如果是计算bondwire电感值,是L=1/(2*PI*freq*Im(Y11))么?我看资料怎么有的写得是Y21呢?谢谢

支持。

因为你bondwire是2端口啦,所以你要看两个端口间的,而不是一个端口对地的

我用ADS仿过这个曲线的,模型是有的,你稍微也读读使用手册嘛。

我没用过ADS这个EDA软件啊。
问题是,我的工艺库是基于cadence的啊,
能在ADS下 仿真吗?
真是太感谢你的帮助了

我说ads是为了说明我仿过模型是可以看出来的,工艺厂商不会把不同软件的模型做得差太多。所以你在spectre里面用其模型也能仿出来啊。
好吧,先建好你的电容,然后一端接地,一端接一个port,然后做sp仿真,之后看Y11,用计算器算出C的曲线

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top