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请教关于过驱动电压的问题

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
比如我要设计一个MOS管的过驱动电压为0.2V,在cadence spectre中设计电路的时候查看静态工作点,是看VGS-Vt使它为0.2V,还是看Vdsat为0.2V呢?VGS-Vt和Vdsat差别还是有点大。
谢谢大家!

过驱动的定义是VGS-VT ,vdsat是在某一个VGS下管子达到饱和的ds电压,所以是看VGS-VT

个人这样理解:
Vdsat 是线性区与饱和区边界时Vds的大小
Vod 是Vgs 与 Vth之差, 饱和区电流较大时,有Vod大于Vdsat,Vod体现了管子的工作状态

怎么没跟贴啊

Vdsat 是线性区与饱和区边界时Vds的大小
Vod 是Vgs 与 Vth之差, 饱和区电流较大时,有Vod大于Vdsat,Vod体现了管子的工作状态;Vod是判断晶体管工作状态的一个条件

dfdsf
那就是调参数的时候偏置主要看vgs-vt,看饱不饱和就看vds是不是大于vdsat就可以了

难道vod 英文全称是 voltage over drive?

我是来听jj的,LZ继续讲

一般来说,如果只考虑一阶效应
Vod=Vdsat,那么Vds>Vdsat,管子就工作在饱和区了,
上面的结论只对长沟道器件有效,大家现在一般做0.5u的process的话,就要考虑二阶效应了
此时,如果 Vds<Vdsat,工作在triode region,Vod close to Vdsat
Vds>Vdsat,工作在saturation region,Vod will bigger than Vdsat
那么你用Vod来设计你的电路,在不同的温度和corner下面就会有一个比较好的裕度,容易使管子工作在饱和区
以上是我的理解,欢迎大家指教!
大家可以参考http://www.ece.uci.edu/docs/hspice/hspice_2001_2-162.html
大家手算时用Vod(Vgs-Vth)就可以了。

一般不会让Vds=Vdsat, 否则状态不稳定,容易进入线性区

请回答以下简单问题

我是来听课的

受教了,自己一直弄反了

一般Vod>Vdsat
Vod=Vgs-Vth0, Vdsat=Vgs-Vth(VSB=Vdsat)就是前面说得饱和区何线性区的分界点
Vth0<Vth(VSB=Vdsat)

我是来听jj的,LZ继续讲

...........

栅源电压减去阈值电压是书上定义的过驱动电压。
Vds是漏源电压,一般在饱和驱时会大于过去动电压

一般来说,如果只考虑一阶效应
Vod=Vdsat,那么Vds>Vdsat,管子就工作在饱和区了,
上面的结论只对长沟道器件有效,大家现在一般做0.5u的process的话,就要考虑二阶效应了
此时,如果 Vds<Vdsat,工作在triode region,Vod close to Vdsat
Vds>Vdsat,工作在saturation region,Vod will bigger than Vdsat
那么你用Vod来设计你的电路,在不同的温度和corner下面就会有一个比较好的裕度,容易使管子工作在饱和区
以上是我的理解,欢迎大家指教!
大家可以参考http://www.ece.uci.edu/docs/hspice/hspice_2001_2-162.html
大家手算时用Vod(Vgs-Vth)就可以了。

大家设计电路的时候,都是先确定vdsat,可VDS是如何确定的呢,比如一个有源电流镜,输入管和尾电流源的VDS是如何确定的?

小编啊,别想的太多了,过驱动电压的定义就是Vgs—Vth ,当Vds小于Vgs—Vth 时,管子在三极管区(线性区);当Vds大于Vgs—Vth 时,管子进入饱和区。
其实,过驱动电压Vgs—Vth就是线性区与饱和区的分界点,所以它就是Vds(sat)值。

同意,你说得简单而且正确。其他人说的乱七八糟。 2# cicixu

thank you

thank you

thank you

thank you

thank you

谢谢各位大侠感谢~

mark,Vod和Vdsat的关系

看看sansen那本书就明白了

vgs-vt就是过驱动电压。实际上在BSIM4模型中,G上的重要参数就是vgst。

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