大神门，这是什么器件
信息太少，把上面几层也一同发出来。
poly 电阻
看起来最上面分别为poly层和染色层，下图给的是M1层，不知它周边的MOS管的颜色，个人猜测为小电阻。不过不确定，也可以通过整理后的电路去猜测
poly电阻不应该是这样么，染色层没东西。但上面的好像掺杂了的，这是何用意
夹层电阻吧
poly电阻吧！
可能是P+注入电阻 电阻率相对多晶电阻较高
在问个问题，这个是什么器件，看似是pmos，但沟道不可能这样子扭曲。难道是电阻，那么上面的多晶硅是怎么回事?
要看你这是什么工作频率的吧
这不就是一个P管么，叫倒比管，L比W大很多，相当于一个大电阻，常见于启动电路
这是一个倒比管，L很长的那种
但mos管的沟道能这样扭曲?电子凭什么可以沿着那方向移动?
刚开始我也以为是PMOS管，但细想有问题，整个沟道区应该是n型参杂，那么电子怎么会沿着那条弯曲的线移动?
别的地方又走不了，至于怎么拐过来的，这你就不用操心了~
以前没有细想这个问题，下面分析一下，沟道形成的条件是什么，对于NMOS，Vgs>Vth(初略估计)时，认为沟道形成。在Vds作用下，电子沿着沟道从源端流向漏端。你所困惑的是电子会不会沿着弯曲的路径移动，试想一下，这个路径是否弯曲没有太大关系，只有形成沟道，尽管这个沟道也是弯曲的，在Vds的作用下，便有了电流。当然，直的的和弯曲的沟道电子迁移率或其它参数有没有区别本人就不是很清楚，可以请教一下器件方面的人。
貌似jfet
这个简单这个简单
对于PMOS，Vsg>|Vth|时，整个多晶硅下面不都应该形成沟道么，而沟道不应该是照片那样?
电子为什么不能从别的地方走，Nwell上整个多晶硅不都应该形成沟道么
不像吧
我觉得的你该看看器件的书，沟道是怎样的形成的，在什么位置等等
看来你还是没看懂我的问题所在
就问你一个问题，为什么电子不沿着红线方向走，这样不是更近?
电子怎么来的?你画的路径上面只有一层poly，没有active啊，怎么有电子啊
貌似很简单的问题
不好意思，本人没画过版图不是很熟悉，红色部分也是就沟道部分和周围的参杂不一样?应该是一样才对呀，都在NWLL里?望回复thx
不好意思，本人没画过版图不是很熟悉，红色部分也是就沟道部分和周围的参杂不一样?应该是一样才对呀，都在NWLL里?望回复thx
都不知道该怎么回复你了，感觉一点器件基础都没有啊，找本书，好好看下CMOS工艺流程。了解CMOS有那些层次，怎么做出来的，有源区的定义，沟道怎么形成。by the way，你知道该mos管的W和L是多少么，怎么定义的，这些了解了你就不会在再问类似的问题了。没有基础不要紧，肯问也是值得肯定的，但关键还是要靠自己自学，琢磨。