mos电路设计如何减小工艺角的影响

corner变化对MOS管模型参数有影响，表现在平方律模型里的参数包括迁移率，Cox，Vth等。
看你想减小对电路哪种参数的影响了。
最主要的，设计电路的时候在tt，常温下，元件参数值不能取得太偏，导致在其他corner下出现某些元件工作点不正常，或者跑出指定工作区比如饱和区。这是第一层次的要求。
至于对性能变化的影响，可以通过改进电路结构，或者改善偏置来弥补

不做绝对值的话，影响不是太大吧

同意
1. 设计时留够margin
2. 如果对电路性能随制程的变异有要求，就使用补偿或者好的电路架构，或者trim，不过基本都是以牺牲面积，功耗，设计难度为代价

谁能告诉我，模拟集成的前途如何呢

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谢谢