关于NMOS和PMOS的输出阻抗比较

对于给定的器件尺寸和偏置电流，NMOS晶体管呈现出较高的输出电阻，为放大器中提供了更理想的电流源和更高的增益（拉扎维，32页）。为什么说NMOS具有较高的输出电阻，这个输出电阻是怎样看的，有没有求输出电阻的相关公式?请大侠给小弟指点

我感觉要是单纯的MOS管的本征输出阻抗的话，不妨画一下小信号等效图，这样可以更准确的把握！不过有一点要明确的是，输出阻抗就是输出电压除以输出电流，这样的话就要把输入置0，同理输入阻抗是要把输出置0！你看按这样的方法能不能求出书上的推导！

输出阻抗不是ro么?

输出阻抗是ro，表现在mos管的参数上就是λ
一般的情况下n管的λ较小
但是也有例外，我见过一个制程，n管反而差一些

ro=1/(lamda*Id)=1/(lamda*u*Cox*(w/l)*(Vgs-Vth)^2),
貌似这个输出阻抗和lamda，u，Cox等工艺参数有关，只能泛泛的说，N管的输出阻抗相对P管可鞥高点~

恰恰相反，大多数工艺是PMOS的输出电阻较大的，相同的L和电流下。

ro正比与衬底浓度

有木有人总结下，各种说法~

我也觉得是PMOS的输出阻抗大的吧

好像NMOS的输出阻抗大吧?

Based on the page 32 of razavi's book ,
NMOS : LAMBDA=0.1PMOS : LAMBDA=0.2
R0=1/(LAMBDA*ID)
this will support :nmos has larger ro as size and bias current are given.

看LAMBDA 值

给定偏置电流和尺寸，只取决于lamda