怎么利用NMOS开关传输高电平

适当提高 控制nmos 栅端的高电压，能让信号完整通过就行了。
同时注意栅上的击穿电压。

我现在让NMOS栅端电压和漏断电压都是VDD=2V，衬底接0V,但是源端电压只有1.6V。 如果把源和衬底接一起，源端电压有1.9V。请问是什么原因? 如果不把源和衬底连接，还有其他办法吗? 谢谢啦

体效应。
没什么太好的办法，如果工艺提供耗尽型管可以试试。

按照你的说法，需要把nmos栅电压boost上去，大于电源电压，
但是也要考虑到这个加在栅上的vboost能够让nmos正常工作，不发生击穿现象。
具体原理可以在坛子里搜索 "bootstrapping"。
希望可以帮到你，谢谢。

恩恩，请问下耗尽型管子在工艺库里面怎么找呢?还有你听说过自然管吗?好像是零阈值的管子，但是不知道怎么找。

很感谢您的指导，现在栅端电压接的是数字信号，这个电路VDD=2V，所以可能需要一些特殊的管子才能实现，但是不太清楚什么管子可以用

不需要特殊的管子。小于击穿电压就可以。