模拟IC中偏置电压的问题

模拟IC中我们总会遇到Vbias这个偏置电压，比如用MOS管做尾电流源时通过Vbias使mos管工作在饱和区。
请问这个偏压Vbias是如何来的?
是用电压源直接给的吗，还是通过基准电压源来提供的?
如果是基准电压源，我看书上基准电压源的设计会用到BJT，现在CMOS工艺中还会用到BJT吗?
初学者，请高手指点，不胜感激！

电流灌入到一个二极管接法的晶体管上。

1、典型情况，一般初始电流都是由“与电源电压无关的电流产生电路”+“启动电路”给出，然后通过电流镜复制到需要的地方。要用多大的vbias，通过2楼的方法，调整负载管获得。
2、任何CMOS电路也得需要基准，即绝大部分都要用bjt实现，只不过大部分都是横向bjt而已。就算是要从bandgap电流处copy，bandgap也需要偏置，追根求源仍然追溯到电流产生电路，最简单的就是4MOS管+1个电阻。

这个电压源是用一个叫“电流镜”的东西产生的。
其实电流镜中也用了一个理想电流源。
现在的CMOS工艺是可以fabricate BJT的，不过似乎是叫做“横向bjt”，具体我也不太懂啦。总之就是即使用cmos工艺，fabricate有bjt的bandgap reference也是没有问题。
其实现在有很多人研究全部用cmos做voltage reference，功耗还特别低。不过这是另外一个话题啦O(∩_∩)O