求教allen书上第四章一个mos开关的基础问题

这里有几个地方搞不明白：（一）按照前面的公式来看，

VDS=0时分母最大，ron应该最小啊。

（二）按照接下来的这个图来看

VDS=0时不就是ron电阻两端电压相同吗?那ron的阻值岂不是就是0了?

NMOS永远是电势低的一端为S。所以实际上当给电容充电的时候，电容一端是源极。当Vds=0的时候，沟道里的电子就不会移动了，但沟道还是有一个形式上的电阻值的

形式上的电阻值啥意思啊......这样的电阻值也应该很小吧，书上为啥说VDS=0时ron出现最坏值（最高值）呢?按照4.1-2的公式说不通啊。
谢谢了。

VGS不是始终都等于Vfai-Vin ?

我也是这么想的...

如果连Vin端低的话是对的。如果Vin端比电容端高的话，这个说法是不对的，因为Vin端此时不是源而是漏。

个人拙见：
与Vgs相比，Vds的值很小，尤其在长沟道工艺中，Vfai的值较大，MOS管很可能工作在深线性区，此时Vds完全可以忽略。重点还是Vgs对导通电阻的影响。
此开关导通后就是Vin对负载电容充电，只有当充电完全时，也就是电容两端电压Vc=Vin，Vgs才最小，Ron才最大，并且此时Vds=Vin - Vc=0.
若有差池，敬请指教。

谢谢了。大概搞懂了，但是电阻Ron两边的电压为什么会相等还是没弄明白，是因为此时Ids=0吗?
如果沟道中有电流的话，那只有Ron=0它两边的电压才可能相等啊。

当输入对电容进行充电时，足够长的时间后会使Vc=Vin的，因Vc=Vin(1-exp(-t/RC))。所以在有限的时间内可以认为Vc近似等于Vin，电流逐渐趋于零。

多谢了，这里基本搞懂了。
不过后面96页最后一段又说：”当栅极电压降低时，有电荷注入沟道。但是管子最初保持导通状态，所以无论怎样，注入的电荷只在输入电压源Vs中流动，不会出现在负载电容C上。“

求指导......

因为正在向栅电容充电。

那他为什么说“注入的电荷只在输入电压源Vs中流动”啊?

我觉得是翻译的问题。不伦不类的。

恩恩 我也是这么认为的，感觉翻译的好蹩脚啊

纠结这么久，原来是书的翻译问题......

是不是因为管子导通的时候（栅电压为高），负载CL已经充满，注入沟道的电荷只有向漏区扩散

关于电容充电的问题，我举得是ron与vgs成反比，source端在电容这段，只有当电容充饱电了，vs取得最大值，vgs=vg-vs有最小值。ron有最大值，此时电容不在充电，所以电流为0,vds=0.

说下我的理解：首先导通不一定会有电流，这个是对的吧。
当栅压大于VTH，此时电容已经平衡了，Rchannel上没有电流，此时栅压降低，电源会有电流通过VOV流向栅极
当栅压小于VTH，此时电容已经平衡了，Rchannel上没有电流，此时栅压降低，因为管子已经截止了，drain与gate之间的VOV之间有压差，形成电流回路