关于理想电阻CDF Parameter详细设置的疑惑
因为要对一个温度补偿电路进行仿真，所以需要将理想电阻进行详细设置。
下面是我对于参数的设置疑惑，问题比较低级.......但希望能有大神耐心解答，在此表示感谢。
Resistance电阻阻值
Temperature coefficient 1一阶温度系数
Temperature coefficient 2二阶温度系数
Model name（不明白填什么内容，对于所设置的电阻起什么作用）?
Length栅长
Width栅宽
Resistance Form电阻形式（例如扩散等形式.....）
Multiplier并联的数目（不明白填什么作用）?
Scale factor比例因子（不明白填什么作用）?
Temp rise from ambient从多少度开始上升（这个是设置成电路仿真时的温度吗?）
Generate noise是否产生噪声
Capacitance电容值（这个是设置电阻的电容值吗?）
Alias for Lin.temp.co.（不明白填什么内容，对于所设置的电阻起什么作用）?
Alias for Quad.temp.co.（不明白填什么内容，对于所设置的电阻起什么作用）?
Lin temp co of lin cap（不明白填什么内容，对于所设置的电阻起什么作用）?
Quad temp co of lin cap（不明白填什么内容，对于所设置的电阻起什么作用）?
Resistance Scaling Factor电阻比例因子（不明白填什么内容，对于所设置的电阻起什么作用）?
Capacitance Scaling Factor电容比例因子（不明白填什么内容，对于所设置的电阻起什么作用）?
AC resistance交流电阻（是交流情况下的电阻的值）
Temperature difference温度差（不明白填什么内容，对于所设置的电阻起什么作用）?
还有，考虑温度影响的电阻的阻值R'是利用下面给出的公式求解吗?
R'=R*(1+TC1*Δt+TC2*Δt^2)
式中 R为电阻原阻值 TC1为一阶温度系数TC2为二阶温度系数Δt=电路温度-室温（25℃）
求解啊！希望大神帮忙解决.......
一般只需要model name，L和W这三项，其它都不填写。
对于您的回答，十分感谢。
我想详细问下model name 应该填什么?代表什么物理意义?
继续求解.......望大神帮助
你这也太新手了吧?唉，还是回答一下吧，我也是有一无所知到了现在的菜鸟。
其实model name就是一个名字，因为一个process有很多种材料的电阻，所以给它们起不同的名字进行区别。根据需要，调用不同材料的电阻即可，而材料的不同会产生几个关键的影响，比如工艺精度，最小线宽，最小面积，方块阻值，温度系数。电阻的阻值根据（R方块*L/W）进行粗略计算，然后再微调。总之，你调用哪种类型的电阻，它就有一个专用的model name，你在仿真的时候，lib库里边也有这个名字，即一一对应，如果你叫成其它名字，比如lib库里没有的名字，那么仿真过程就会报错，说找不到它或者没有指定该名字。
另外，电阻model里边的参数变量一般也就那几个，W,L,m。而阻值的确定有方块阻值，W，L，以及它们的容差确定。对于温度系数，电压系数，每种材料是固定不变的。仿真时，当网表查找到这个model name，就自然对应到lib库里调用相应model，那些固定参数自然也就被调用了。
回答的太详细了，十分感谢！这种感谢无法用语言描述.........
我刚刚接触模拟CMOS集成电路设计，才刚刚看书学一些，以后有什么不会的还得麻烦大神多多帮助......
希望大神能对我如何学习模拟CMOS集成电路设计给一些建议......
再次对于您的耐心解答表示感谢！
看一下doc就知道了
对于您的回答，十分感谢。
根据我的经历，我认为可以从以下步骤开始，仅供参考。1、设计工具的熟悉操作，包括各种快捷键，菜单项意义等，Hspice，Hsim，XA等的基本使用方法（命令行跑）；
2、电路仿真时，所提取的网表文件、所用工艺库的model文件架构及其pdf说明文档的熟悉；掌握什么场合，应该用什么样的
device，这是designer应该或者说是必须具备的能力。当然，成本也是必须考虑的因素，比如用到的层数与所用器件种类的关系，比如器件的灵活应用等。不好意思，废话了。
3、结合layout了解整个design flow，以及中间过程遇到问题时，应该查看或者修改哪些rule文件参数等。
4、学习layout基本知识，比如元件布局，在重要架构中关键器件的处理。深刻理解不同layout布局对电路性能的影响，
比layout人员更加深刻。当然作为一个designer，如果以后能够自己lay的话，自然是极好的，如此也可以很好的和
画该电路的layout人员配合，保证tapout后，性能更佳。
5、一定要细心，特别是细节方面，不要放过任何看似没有问题的仿真（到后期，这才是最重要的）。最近就因此导致
流片后有问题，虽然不大，但还是得ECO，唉，目前还没有达到掌控系统级设计的层次呀，要考虑的太多了，一个没有
考虑到，就会出问题。血淋淋的教训，太多了，现在设计完后，我就喜欢对着电路图发呆，看呀看，看多了说不定就会
发现某些极其隐蔽而又致命的问题。
6、做到以上几点，基本上可以很easy地完成些常规的模块任务，只要细心些，一般不会有大问题了。之后，可以认真地学习
一下常规模块的设计，保证在知识上与社会同轨。嘿嘿，到现在为止，我的设计在架构方面都是借用公司以前项目模块，稍作变形
拼凑成型，毕竟对公司而言，流片成功才是最重要的。而对我们自己而言，学习成长也同样重要呀。
有点乱，了解一下好了。
补充一下，第3项涉及CDF参数的问题，这个也很重要。也许是因为我所参与的设计中，好几个都没有给pdk，因此所有的device都是根据model文件自己制作的，device的CDF参数都得根据model文件（模拟设计者这边的）和lvs里边的rule文件（layout那边的）确定。可以了解一下哈。
回复 11# hehuachangkai
十分感谢您的指导.......
大神的回复太详细了，让我感觉受益匪浅，每一个步骤都很详细......
真是太感谢了........
看了您的回复之后，发现自己什么都不会.........
发现自己还存在太多的不足了，真的还有太大的差距了........
我一定好好努力提高自己......
再次表示对于大神的感谢和崇拜..........
写的很好
嗯 学到很多 感谢