急！如何用低压器件产生一个可以耐高压的电容？

你是用MOS做Cap还是用MIM?

哪个好用哪个
大概要3p的电容

现在问题是 你的高压是多少? 你的工艺是多少nm?

60V
0.25BCD

串一个耐压增加一倍，但是电容值小一半。计算一下需要多少个，不就可以了。

60V如果不用高压器件，任何电路都不行了！
串联也是有风险的，会某一个先击穿！

耐压差别不是一点点

你用的工艺中耐压器件的栅氧击穿电压和ds击穿电压分别是多大?一般BVds会大于栅氧，实在不行就可以用结电容试试。当然，面积会很大很大。
我用过的40V工艺，栅氧击穿电压可以达到80V。

“我用过的40V工艺，栅氧击穿电压可以达到80V”这个我信，可以做到的！
但是小编说他不想用高压工艺，普通工艺就只有3.3V,5V这些，无论如何是到不了60V的！

我看到他说bcd，我以为是高压的，

我也遇到一个问题有个charge pump里面要用到MOS电容做boost但是自举完了之后栅极相对衬底压差超过了标准VDD的两倍不知道有没有问题反正仿真没提示错误

我只有薄栅氧

要有bv参数才会提示错误，如果模型里没有就不提示。而且貌似这是spectre才有的功能，hspice里没有。

HSPICE也有，warn=1即可！

哦，看来我hspice用的水平还比较低。

自举一般是没有问题的，这个两倍电压是加在栅到衬底，gate oxide下方是沟道，电位由source/drain决定，沟道下方有个耗尽层。耗尽层下方才是substrate，所以基本上有一般电压有耗尽层抗了，没问题

这种用fringe电容比较好吧，用mos电容去扛这个电压容易影响电路寿命

我就用的spectrebv参数是什么我菜鸟不太了解啊

同意，用fringe 电容，耐压距离可用 SO2的击穿电压计算

breakdown Voltage啊，具体从哪里看我也不知道。但是有这个参数仿真的时候就会提示。