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运放前仿和后仿差别很大, 为什么?

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
大家好,我现在正在做一个folded_cascode的运放,前仿的时候性能可以达到我的要求(100db,590Mhz,60pase margin),画好版图后通过了DRC,LVS,不过后仿的时候增益相差太大了,只有25db,请问你们遇到过类似的问题吗,讨论下哦,学习ing

你后仿真中的每一路偏置电流都看过了吗?你用的仿真器是什么?

不知道怎么看电流啊,只是那些引出来的pin端点电压看得到,其实这些电压有些是正确有些不正确。我用的是calibre仿真工具。

真是棒极了!
魅力没法挡,支持加油!加油!







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杨思敏
杨思敏人体艺术
杨思敏版金瓶梅剧照
杨思敏人体艺术写真
xiao77

一般不会这样吧,你确定偏置给对了。我的做法是先闭环dc仿真得到两个输入偏置电压,然后开环AC仿真

3
如果你的仿真原理图,偏置没有问题的,个人觉得可能是版图的走线有问题, 一方面可能对称管的布局有问题,另一方面可能是输入信号不干净,还有是让寄生的电阻电容影响了你的相位余度, 可能成为了一个"OP振荡器"了.

是不是你的输入管源极的线太长了,寄生电阻变成了一个源极负反馈了。

估计是仿真的问题,否则不会差这么多,要么就是版图画的太差

可能由offset引起的,我遇到过,你在输入加个offset扫描一下试试。高增益的运放,几百微伏的失调可能就使增益下降很多。

一般都这样吧

谢谢大家的讨论,我这几天也正在进行版图方面的考虑,接着尝试着楼上几位讲的方法再试试看,因为第一次画版图,所以估计很多东西都没考虑到,学习。
再次谢谢大家的帮助,eetop really great!

最新的仿真结果是,在只有电阻的情况下:GAIN=88DB,GBW=358M,PM=67
在只有电容的情况下:GAIN=88DB,GBW=347M,PM=65
不过到了R+C的情况就不行了。性能变很差。

版图的寄生问题和匹配问题吧

下来看看

认真学习

假如相差很多可能是本省设计有问题,有个20%的差别是正常的

可能是容差大小了吧,我们一般不做后仿,好像IC回来都没有问题

看看寄生电容和offset大小

应该不会这样 仿真有问题吧 !

求大牛详细指导后仿问题

can you give us the op-amp input offset both pre/post SIM

offset

你先看一下功耗,看功耗会不会变大,估计你用的应该是calibreview,对于有些工艺,会出现重复提取的问题,比如nmos管finger为3,可能会出现3个finger为3的nmos管。

个人觉得是版图的问题吧,一般前仿和后仿结果不会差很多的,有时候一根线的位置就能影响很大。

DC工作点肯定出问题了

学习下

kankan !

=。=我也是。怎么解决。

请问 应该怎么处理这个offset?

猜测是仿真的问题

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