BGR温度曲率补偿

正在看一篇BGR温度曲率补偿的论文，有些不明白的地方请各位帮忙解答下。电路如上图所示，不理解的地方如图2划红线处。
如文章所说“the current in the p-channel MOS transistors is at first-ordertemperature independent”，PMOS上的电流为I1+I2+IR4=(VT*lnN)/R1+VBE/R2+IR4,我理解的是此电流与温度有关，只是一阶温度被抵消。后面讲“把这个电流镜像过来流过Q3，那Q3的集电极电流就与温度无关了”即文章中所的α = 0，请问这是为什么?这地方没看懂。希望各位给详细解释下，谢谢~

望好心人解答~谢谢~

期待大神解答~

求解答

论文说的就是你理解的那个意思呀

镜像到M3的电流是PTAT电流，Vbe3本身是负温度系数的，因此流过Q3的电流可以看做是与温度无关的，即α=0

BGR温度曲率补偿

M3上的电流是I（M3）=(VT*lnN)/R1+VBE/R2+IR4（INL），那么流过Q3的电流是I（M3）+I（R4A）+I（R4B）=I（M3）+2*IR4，那这个电流为什么是与温度无关的呢?不知道哪理解错了?

对，这是一种温度补偿的方法，请问为什么Q3上的电流与温度无关?最好有公式推导，可以给解释下吗?

他其实说的是近视因为流过Q3的电流按一阶补偿的话 可以认为其电流已经和温度无关了！

嗯，他说的肯定是近似，那就是说近似的结果是INL也忽略掉了是吧?

原理上说INL是为了补偿高阶项的其实这一项比较小如果一阶补偿做的好的话Q3的电流随温度变化相对于Q2电流随温度变化小的多 因此可以认为Q3的电流不随温度变化

首先小编的图有点问题，R4B应该是接到放大器的正输入端；另外这一种实现高阶补偿的电路结构，一般的我们认为一阶项补偿就可以实现零温度系数，但是一阶补偿仍然留下了高阶项这就是为什么会出现弯曲的原因，这里通过电阻R2B产生的压降VTlnN实现一阶想的补偿，通过电阻R4B产生压降VTln（T/T0）实现高阶项的补偿，从而得到更为精确的零温度系数的电流，最后的温度系数可能是几个ppm。

把Vbe用公式展开去看。

嗯，INL确实很小，就是说近似的时候这一项可以忽略了，大概明白了

首先，图没有错。其次，原理上就是你说的这样，我也理解，但是我的问题不是这个。这个补偿的前提是Q3的电流近似与温度无关，我的问题就是这个，现在已经想通了，谢谢。

是我看花了，图是对的，哈哈，不好意思