帮忙分析下这个ldo 瞬态特性仿真结果

大家帮忙看一下这个LDO的瞬态仿真。我在负载端输如一个脉冲波形，输出如下，我想知道为什么
当负载电流向下突变时，输出会有一个向下的脉冲原因。以及如何消除。

是不是开环增益太小的原因，我的开环增益只有57dB左右。

这个是Phase Margin太小吧...

请问你仿真的时候加的负载是怎样的?如果你是外部补偿的话，负载的Cout很大的，再加上一个旁路Cb瞬态电流的变化可以被吸收。如果你想再提高一点瞬态特性需要仿真一下找到问题在哪然后去查查文献，我知道的有几种可能：运放相应速度不够，Mpass的栅电容太大以致buffer的充电时间太长，还有可能是运放的高频环路增益不够。我的建议是你把负载电容加好了再仿真，你会发现很稳定的。

回复 4# weidianwj

之前犯傻了，我做的是无电容型的，外部什么电容也没有加，后来加了一个外部小电容大概100p，下冲是没有了，但是瞬态特性很差。我用的是伪微分器的瞬态增强网络，现在我要查看这个网络是否起作用，现在不知道该从什么地方入手了！望指点。

没有电路图我也不好说具体的，而且不知道你说的那种伪微分电路的具体电路什么样，如果你要验证这种电路是否起作用可以看看Mpass的栅电压变化，如果你这个电路有作用的话Mpass的栅电压会变化很快的，如果把它去掉直接加buffer应该就没那么快，你可以两种试试比较一下。之所以下冲没有了是因为你有一个大的电容可以为其供电，但是50mA的瞬态电流肯定会造成电容的过冲电荷积累导致电压上升，也就是说你的LDO对外充电能力还可以，瞬间放电能力不足，这个可能要在结构上调整。我建议你看看林肯莫拉的书，在论坛上有（http://bbs.eetop.cn/viewthread.php?tid=164729&highlight=LDO），第六章讲缓冲器的那部分好像可以做电流感应器什么的加快你的Mpass充放电速度，我也只能帮你分析一下。

你是在参考RJ Milliken的那篇文章吗?要验证瞬态增强电路起不起作用，就是加瞬态增强电路仿一次，然后不加瞬态增强仿一次，之后这俩比较一下就行。

这个我用过了。但是发现瞬态网络是起作用了但是效果太差。请问如何改善。不加瞬态网络之前还不如这个。

路过围观，呵呵

挺多的架构是添加瞬态响应通道，参考论文也挺多，我没明白你的瞬态网络是咋设计的，不过如果你的负载电流不大，通过适当的增大Mpass和增大环路带宽还是有效的。

学习了

与你LDO的效应速度相关

看一看，学一学。