为什么这种带隙基准电压温度系数 的仿真结果刚好与彩虹线相反

通常工艺的vbe的温度系数随温度升高而变得更负，所以bandgap曲线是彩虹形状。如果是工艺VBE的温度系数随温度升高而变得不那么负，或许最后的bandgap曲线会如小编所示。建议小编单独仿真一下你用的工艺的VBE的温度特性。个人观点，抛砖引玉。

能不能指导一下怎么单独仿真一个vbe的温度特性曲线，小菜鸟一枚，请帮助。

2楼说的有一定的道理。
单独仿真一个BJT的VEB温度特性很简单啊，以PNP为例，就在E端接一个电流源提供固定的电流，B和C接地，进行温度扫描，输出E端电压即可。

话说做过了BGR都没有想过这个问题，赞lz一个~
N=|Vbe1的温度系数/deltaVbe的温度系数|如果N的值随着温度上升而变大，则输出电压随温度变化的曲线就是彩虹形状的；反之则反之~

出现这种情况可能是在温度低的时候负温度系数比正温度系数要大，并且我们虽然通常考虑Vbe是与温度的关系是线性的，但是实际上二者的关系是非线性的，所以在高温的时候可能负温度系数变得比正温度要小。即这种结构在低温是负温度系数比正温度系数大，高温时负温度系数比正温度系数小，所以整个温漂曲线表现为先减后增；要看VBE的温度特性直接用原有的电路仿真，仿节点X处的电压Vx关于温度的特征曲线即可。
我的理解是这样的，只是交流交流，不对的话欢迎指正。

可能与你的运放有关，运放设计不好，会出现这种形状的曲线。

建议采用四楼的方法试一下

强烈建议，小编将运放的+-换一下。再看看

如果小编运放极性没用画错的话，那么应该将输入端对换一下。如果外面的PMOS管放在运放内部，那么正负极性标的没有问题。（环路负反馈应该大于正反馈，系统才能稳定。）