问一个基础的问题，如何理解mosfet静态功耗低这个特点。

bjt速度比mos快

功耗是因为三极管做开关时，要一个Ib维持。而mos是压控device，基本上不消耗电流。
速度是因为，mos压控时，得等大gate上电荷积累到vth后，电路才导通；而三极管是电流控制，导通时间比mos的小的多。

为什么会有这样的问题，都不看书的吗，或者不愿意思考?

谢谢由于二氧化硅是绝缘层输入电流几乎为0，但是mos管导通时候不是有ids吗，还是会有功耗，我就是不理解这个。静态功耗是只考虑输入电流的吗?

刚接触不知道往哪方面想，没有思路。还在努力中。向你们学习。

好像明白了，静态时是没加信号时直流偏置的影响 三极管ib存在 但mos管输入电流为0

MOS管是电压控制型的器件，输入栅极电流几乎为0，bipolar是电流控制型器件，导通需要Ib维持。