求助高手有关RF_switch的研究

从事RF行业一年多，一直在做SWITCH方面的工作，主要是独立的开关，也可以用于PA模块里。工作初期，只是按照老板的要求去做，可以去完成工作，但是其中很多疑问无法解决。网上找了一些相关材料，发现SWITCH这方面的资料太少。主要是以GaAs工艺，pHEMT管子构建的switch，希望可以了解其详细的工作原理和pHEMT的工作时V/I特性。所以，希望高手指导下，或帮忙推荐一下相关的论文或书籍。不胜感谢！

哪家公司啊? 现在都拿cmos soi 做了

CMOS损耗高，寄生电容大，直接影响switch的IL和LINEARITY。对soi没有研究过。感觉前辈有经验，希望给出更多的指导和交流，非常感谢！

和GaAsFET比较, SOI是有一些优势但不是万能, 它在high power(+30dBm以上)的表现就不如GaAsFET, 尤其是harmonics distortion and IMD2/IMD3, 有时候会比GaAsFET差10dB以上

另外板大你在另一区块 ">>射频/微波电路设计>>技术交流 " 也问一样问题, 我有回了....

我有几天没有登录论坛，今天才看到。真的非常感谢您的回复和提供的材料。最近看了一些phemt和SOI技术的论文，对switch的设计有了更深的理解，但还有很多不明白的地方，向您请教。希望能和你成为，我的权限不够，希望你能加我，谢谢！

switch不是用CMOS做吗?PA用GaAs，GaN或者是SiGe倒是比较常见。SOI也有，不过high power就如小编说的，Si工艺就不适用了。

所涉及的switch主要用于PA_modulem，对IL/Harmonics/Linearity等参数要求较高，这也会影响着这个模块的性能。GaAs可以更好地发挥phemt的优势，更主要的是不增大die size以此适应模块尺寸。对手机中应用的PA，没有HIGH power的要求，所以GaAs就足以满足了。

我不知道你所谓"加我"是什么? 如果是积分我自己也没有很多, 如果是有关GaAs PHEMT switch问题欢迎提出来讨论

加好友的意思吧

我有个问题想请教下。GaAs Phemt的switch P1dB通常可以做到比较高，以1W为例，仿真跟实测都能实现。比如0、-5V控的管子来说，输入功率为1W时，输入信号的电压幅值有10V，栅上的电压摆动也有5V了，这时候管子的工作状态都发生了变化，难道是理解为在部分时间管子关断产生了非线性，导致了压缩?那么功率容量又如何解释呢，管子能承受的最大功率总不至于比IP1dB还小吧

Phemt在ON 以及OFF的P1dB失真是不一樣的, 在ON state, 當信號擺幅超過線性區進入飽和區就會產生P1dB失真

主要看功率和频段，低频可以考虑PHEMT,高频PIN开关功率也不错。PHEMT 的开关可以选HITTITE的收发开关吧。

能把你用的好一点的switch的资料发给我一下吗?liyanwei106@163.com谢谢。