源漏穿通和DIBL的区别
时间:10-02
整理:3721RD
点击:
源漏穿通是大的VDS是的源漏的耗尽层连在一起。
DIBL是大的VDS导致源漏之间的势垒降低,VTH降低。
总觉得这两种短沟道效应很相似呢?有高手能讲解一下这两者之间的本质区别吗?怎么区分呢?
在下先谢谢了!
DIBL是大的VDS导致源漏之间的势垒降低,VTH降低。
总觉得这两种短沟道效应很相似呢?有高手能讲解一下这两者之间的本质区别吗?怎么区分呢?
在下先谢谢了!
再顶,求指导
你所谓的漏源穿通是punch through?
VTH降到0,你不就穿通了吗。
是不是这样子的:两者一般都发生在短沟道器件中,只是发生的先后顺序不同,穿通(源漏之间bulk击穿)一定发生在DIBL之后,因此穿通可以看做是DIBL的终极情况,即漏端电位被拉低到源电位。
是的啊
难道穿通是VTH降到0,而DIBL是VTH降不到0吗?
我也是这样想的啊,就是书上也没有具体讲两者的关系,都是分别说明两种现象。而我又觉得这两种现象比较像,所以才来咨询一下,应该什么时候考虑源漏穿通,什么时候考虑DIBL的啊。
再顶一下