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GBW是由什么决定的?

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
给定一个运放的结构(套筒或者折叠,全差分或者双转单),给定一个工艺,请问这个运放的GBW的最大值也就是输入信号的最高频率,是由什么决定的,也就是本质上和器件的哪些参数最相关?

应该是ft和选用的电容吧

主极点位置

大约Gm/CL 吧

晶体管的L,W,和工作电流.

我咨询了下有的人说和输入管的ft直接相关,但是具体怎样还是没搞清楚!

因为我最近按照一些指标设计一个Miller OTA的时候,发现GBW无论怎样调试都达不到预期的值,后来有人说可能这种结构和工艺限制了GBW!

增益Av=gmRout
带宽Bw=1/Rout*CL
增益带宽积=Av*Bw=gm/CL
而CL最小不就是Cgs吗,而gm/Cgs不就是wt吗?wt=2pi*ft呀。
所以最大就跟ft相关。
不知道你这样理解行不?

是和工艺相关的,仿真下管子的ft 就大概知道了

估计小编的问题不在Ft



你这样说的挺有道理的,我估算了下我的输入管子的ft只有10M,所以按照我设定的结构是难以达到的那么大的GBW!

没有Ft只有10M的工艺的好吧!
即使1um工艺 Ft也有500M以上呢!

你是用想什么做多大的GBW?

一般说来最大的能够工作的GBW大约是ft的1/16,sansen书上有类似的说法,ft与L和过驱动电压有关。与电流关系不是太大。

谢谢你的指点,我大概明白的我的问题所在,主要还是指标选大了,没搞清楚GBW的本质原因!

对不起,我没有说清楚,我用的是0.6um工艺,我选的最小沟长伟L=2um,所以ft是很小的。

管子一定时,ft本质上是由偏置电流密度决定。

即使为了高增益,关键路径L也没有必要设置这么大!
有时候好的架构和折中会得到满意的结果

你可以把 要求的Gain,GBW,主极点位置,功耗,电源电压等参数罗列出来,看看是否真的标准定得比较高。

我觉得最大可能还是没有吃透设计原理

10M的GBW一点都不大啊

GBW在这种情况下由ft决定

学习了

fT与器件偏置电流密度有直接关系,如果偏置不好是很难看到工艺所可能达到的fT。

Loop GBW = betax gm /C
beta = feedback factor
gm= differential pair`s gm
C= compensation capacitor

学习了!

谢谢!

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