LC-VCO的设计问题！

请问各位，在确定了LCtank的并联电阻Rp之后，应该如何确定负阻管的尺寸?我用的是nmos管交叉耦合，是否只要满足2/gm>>a*Rp,a为安全因子?
另外负阻管的偏置电流应该如何设置，要考虑什么因素，进行哪些参数的仿真?是否要对负阻管进行DC?应该如何进行?
新手上路，请各位多指教?

这个地方是最玄幻的，即便是大师的也相互抵触。
可以告诉你的是不要用最小的沟长，一般高vdsat得会好一点，多看noise summary.

电流镜处为高阻节点，-Gm为低阻节点！需要分别设计，而且满足-Gm的要求数值！
先用DC跑仿真，提供设计的参数！因为没有图，只能说这么多了！

多谢多谢

想请教你2个问题，
1：你是说尾电流管的vdsat要高些，还是说负阻管的vdsat高些呢?
2：在知道了gtank，根据起振条件知道了gm>=a*gtank。我们要如何确定负阻管的尺寸?我的意思是DC仿真来确定负阻管的尺寸的话，还缺少电流值Id，那我们怎么定电流值呢?

二楼说的对，这个问题挺复杂的。一般来说相噪与gm/I成正比，所以如果你不在乎功耗的话最好把管子尺寸取小一点，靠电流把摆幅撑起来。
还有一点，你为什么要用NMOS交叉对管的结构?这种结构在各方面都劣于PMOS和NP互补的结构，如果没有特殊需求不要用。
我水平有限，欢迎各位指正~

你说，如果不在乎功耗的话最好把管子尺寸取小一点，靠电流把摆幅撑起来。
但是用PMOS和NP互补的结构，I太大，尺寸太小的话，就会导致nmos电流镜的D级直流电压太小，不知你是如何解决的?

能不能说说在哪里可以看到交叉耦合的对管做负阻的结构呢?