问个关于环振的事儿

不用电感。
如果用“反相器”级联的方式来实现VCO的话，有可能只是几个简单的反相器（1PMOS+1NMOS）的级联来实现一个较宽范围的输出吗（比如100M~2G）? VCO的控制方式是改变从PMOS源端注入的电流大小。
因为之前见过的所有的环振VCO都是差分结构的比如symmetric load，没见过这种方式来实现这样一个频率的VCO。
各位有过类似的经验吗?
这两种方式（单端和差分）各有什么好处呢?

你的这个范围在一个pvt都难做 电压工艺一漂三倍频都很难做到 你好歹还要考虑噪声特性和kvco的巨大变化给环路带来的问题

要求没那么高，主要是为了省面积。但是用差分或者单端级联的方式来实现，从面积角度考虑，我觉得差别不大。
主要是想知道如果非要选择环振来实现我说的指标的话，到底用单端的好，还是差分的好。

差分的扛共模噪声（电源、地等等）比单端强得多，所以大部分ic里还是用差分的多，很多片上的其他模拟电路也是用差分的多嘛。ring osc本身面积就不大，单端变差分增加的那点面积也没多少，你跟别的其他模块小很多的，说不定跟bypass电容差不多大。

你仿真的时候在power/ground加点扰动看看，差分优势就出来了

小数N分频的锁相环里，用电流源DAC消除DSM量化噪声，一般需要几位啊?
最好能给个例子。

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