关于LDO的负载电容

关于capless-LDO的瞬态响应，通常根据I*t=C*V来估算负载电容的大小，负载电容大有利于瞬态响应，但是仿真中可能会发现多一些电容或者少一些电容可能对其瞬态响应能力影响不大，甚至还有很多来自于数字负载电容（一直存在的），那么我想减少一定量的负载电容能节省很多的面积，这样考虑行吗?还是说这只是仿真。

你给的电容具体是多大，多多少或者少多少电容值呢?

2nF的话，少个100p-500p面积也可观了~