MOS可变电容

反型的话，沟道是p型，接触孔下为 n+，下极板接不出来，栅电容结电容串联了。

If the gate voltage is much less than the control voltage, then the n-well enters inversion region, right?

没有的事

没有这个结论

标题

这样理解，积累区时，栅下面是电子积累，与nw同型，电容负极是nw，通过n+接触孔接出去。电容是栅～氧化层～nw结构，主要是氧化层电容。
反型时，栅下是会形成p型沟道，极板载流子主要是空穴，而接触还是孔还是n型，与p沟道不是同型，无法直接连接p沟，电容就变成了栅～氧化层～p沟道～pn结～nw的夹心饼结构，是栅氧化层电容和p沟道于nw之间的结电容串联，单位电容值很小。因此要反型电容时直接pmos做电容，就是栅～氧化层～p沟道～p+接触孔，p沟道做正极板，主要的就是栅氧化层电容了。

你没有说到点子上，我想问的是问什么图上的MOS电容不能工作在反型区，而只能工作在耗尽区和积累区?“你的意思是它可以工作在反型区，只是电容值很小，所有不那么用。”现在的问题是它不能工作在反型区，不然叫什么累积型MOS电容啊?就算你说得对，它可以工作在反型区，电容很小，那么电容太小以致于固定电容dorminates，所以才不用它反型时的情况，是吗?However，它不能工作在反型区.

有点乱，刚才看到，
电压只加在gate和buck上，source和drain开路才是累积型VARACTER

是有点乱，看各人怎么理解。昨天我回复“下极板接不出来”就是“sd unconnected”的意思，怕没说明白，今天详细解释了下，想说清造成下极板接不出来的原因，sd unconnected说法是对的，但这只是结论，出现了两层电容串联也是实情，电容不会像理想断路一样完全失效，沟道无法通过sd的n+接出来相当于断开了，但是寄生的沟道-nw pn结电容又起了耦合作用，等效于又串了个小电容到sd，成了夹心结构，不是这种电容正常的工作状态，所以这种电容也是有反型电容的，但是不能用作正常工作情况。就看您问题的语句“不能反型”是如何理解了。

“不能反型”应该理解为“正常工作状态下，不会进入反型区（其实只要条件改变是可以反型的）”，而不是“不管怎么改变电压，它都不会反型”，是这个意思吧！