想问问开关电容电路用bicmos工艺有什么优势?
cascode 还是可以用BJT.
再说了,input buffer 比mdac amp 难做。
这些原因都对,但还不是很convincible,不带input buf的型号也很多啊
mdac amp 的运放速度难道不是取决于cascode 的ft 么?bjt 的增益也大些
这些bi-cmos芯片的bandgap是用bipolar管子做的吧?
我同意你的观点,并且比较器中也可以用Bipolar,快很多
输出的电荷泵电路缓慢。无需快速比较。
比较器能比40nm cmos的还快?
你40nm是牛逼,但是你的增益干得过我bipolar?
比较器也不完全看速度,也要看matching 啊
这倒是真的,我是觉得用65n以下的cmos也能做出adi ti的绝大多数型号的指标来,而且功耗低的多,但做不到那么好,比如12b的sndr做到65,而adi都是70之上,综合一下大家的看法,选择bipar主要是喜欢它的高增益和匹配好,另外个人认为还有高电压。
能不能做的跟他们那么好,是看你电路功底了,会不会抠细节,累积了多少经验。跟工艺关系不太大,如果不是input buffer 这样的模快限制了线性度
不完全赞同,bicmos做的运放增益不是40nm cmos能达到的,现在各大厂商的法宝是运放增益做很高,电容失配做工厂预校正,这样一是性能很稳定,而是客户使用方便,cmos要做只能电容和运放一起校,结果会差一些,用起来考虑的问题也较多,好处是功耗低,易于做soc
所以我觉得大厂商热衷bicmos就是不愿意放弃高增益带来的简单稳定的校正方法
好吧,你赢了
学习学习~
完全不知所云
请问工厂预校正是指什么啊?