微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微波和射频技术 > RFIC设计学习交流 > RF 小白求问 关于mos管得s参数问题

RF 小白求问 关于mos管得s参数问题

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
今天在仿管子的s参数, 发现管子的偏置(如Vgs)会影响管子的s21和noise figure 有人知道是为什么吗?

把mos的基本特性搞清楚就知道了。
不过定量的求解可以参考射频电路书,如池宝勇的

简单来淑说,gm随vgs增大而增大,非线性,增益增大,电流增大,沟道噪声等其他噪声相应变化

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top