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求助,工艺角仿真出问题啦!

时间:10-02 整理:3721RD 点击:





这是折叠式运放在tt模式下的仿真结果,所有管子都在饱和区,增益为78dB,相位欲度为80degree,;可是在ss模式下时,几乎所有的管子
都不在饱和区了,本人初学工艺角仿真,都不知道从哪下手,忘大家帮帮忙!

看不清


图左边是用理想电流源做的偏置电路,右边是二级折叠运放电路

PMOS CASCODE管居然用NMOS偏置。

你是说这个偏置结构不对么,会导致工艺角仿真出现很大误差?

你这不是corner不会搞,是根本连门在哪都没找到

继续看书

额,我确实是开始从事这方面的,所以很多都不会啊,但我觉得应该就偏置电路有问题啊,

感觉看书没用啊,不搞点实战,看书影响不深的

不要纠结是不是初学工艺角仿真了,应该是没理解偏置的作用和偏置对器件的影响,好好分析一下这个放大器要正常工作时各个器件的条件,再考虑器件在ss或者ff或者fs、sf下的偏差如何影响各个器件的工作区间。
虽然tt结果是正确的,其实你可能没理解,只是刚好蒙对了。



主要是器件的参数,像迁移率,阈值电压Vth,都随着栅长L,宽W变化,理论计算偏差很大,至少现在,我还不能大概估算出每个偏置点电压的允许波动范围,只能大概确定一个直流电压点,然后在根据具体仿真结果,适当的增加或减少,还是很费时间的,但没经验,只能这样调电路,你有什么调电路的建议么,我现在很迷茫

没有工模反馈,偏置错了。

先看看第一级cascode输出,有三组都是用NMOS来偏置(看不到尺寸和电流,不确定是不是同一个电压),这个是基于什么考虑?

还有第二级放大的PMOS的S端是怎么接的?从3L的图看起来有点诡异。

右下角的nmos管没接对

不可能啊

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