全電自旋電晶體 速度逾萬倍

全電自旋電晶體 速度逾萬倍
成大團隊跳脫傳統自旋電晶體概念，首創全電式自旋電晶體，可讓電腦運算速度超過現行的千倍、萬倍以上，未來可應用在手機、電腦等產品上
成功大學今天舉行記者會，由成功大學物理系副教授陳則銘領導的團隊顛覆傳統電晶體運作方式，藉由電子自旋特性，解決電晶體發展的瓶頸，研究成果刊登在國際期刊「自然奈米科技」，並被選為當月份的亮點研究。
陳則銘表示，線上定票系統、網路銀行、信用卡、手機、電腦等都會用到電晶體，但傳統電晶體無論製程技術如何突破都不可能小於5奈米，因此科學家提出新型態的「自旋電晶體」，結合電和磁，讓電晶體更省電、運算速度更快，但磁性材料自旋注入效率低、和積體電路難以結合。
為了解決自旋電晶體的問題，研究團隊首創全電式自旋電晶體，利用量子接觸點，來取代自旋電晶體的鐵磁性材料，運用改變電壓來操控自旋電子的方向，能夠更有效地和積體電路結合，可以幫助電腦運算速度高於現在的千倍、萬倍以上。
陳則銘指出，運算速度提升後，資訊業將大大改變，例如過去基因解碼可能需要1個月，未來若運用全電式自旋電晶體後，可能只需1小時；目前全球IC（積體電路）產業年產值約2500億美元，相信全電式自旋電晶體的商機潛力大，台積電等科技大廠可能都會感興趣。
All-electric all-semiconductor spin field-effect transistor", Nature Nanotechnology

自旋的介入提升的是控制维度，从而让同一时间的运算量平方倍上升，而非输运速度，输运速度还是由材料本身决定的，这里有点偷换概念了。但自旋晶体管大都由磁性金属基的化合物半导体（如GaMn，GaMnAs）制成，输运速度也比硅高的多。
不知道成大陈教授用的是何种材料?

不太知道
那Si 10nm 下 process 會改使用新方式嗎?

那我回头去查查文献。
硅本身结构所限，10nm以下的怎么改都很难。可能以后会走向在硅表面做立体结构，比如三明治结构，和陈教授的量子点其实是一样的。
其实我还是看好石墨烯。