请教下怎样估算芯片内部局部温度

这个要功耗和热阻模型了。
10mA， 感觉没有什么功耗。

这个很复杂吧，要看环境温度，封装，等等。

嗯，那请问下10mA的电感工作时上面温度能到七八十度么?

嗯，我只想知道10mA电感工作时上面温度能到80度嘛T_T

80度基本上要用特殊工艺了

你的电感的内阻多大?线圈面积多大?
加热功率和热耗散速率比一下，可以估算的。

顶了！下来看看。

太好啦，1GHz下Q值4电感值2nH，那并联电阻相当于8欧吧?线圈是八边形，内径60um，就当圆形算好啦
请教下你说的发热功率和耗散功率应该怎么计算呀?有什么公式吗?

有没有该电感的datasheet

是后缀为.dat的文件么?那个文件好像打不开~

发热功率是80mW，散热功率是导热系数乘以面积除以厚度，再乘以温差。只考虑上表面散热，二氧化硅的导热系数根据形态不同差别很大，平均取1.4W/mk，你的线圈面积约2800um^2,你的钝化层厚度是多少不知道，用2um估算的话，取温差50k（空气温度30度），可得散热功率是98mW略高于加热功率，说明80度时，你的芯片会降温比升温快，也就是说你的线圈达不到80度。
其实由于硅的导热系数更高，而且芯片在金属框架上，考虑衬底散热会更快。

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太感谢了，学习了！