同一工艺，为什么基本上都是P管比N管得最小L要小？

这种情况的前提是N和P都不是最小特征尺寸的器件。比如0.13um工艺里的 3.3V N/P ，N一般是 0.35u ，P是 0.3u 。
主要是P 的 穿通 vds 比较大，所以 L 可以小一点。

pmos has a better SCE(short channel effect) than nmos.

学习。