求助：LDO的负载调整率应该怎样测试？

在仿真中我使用电流源代替负载，不知道是否正确?
芯片流片快回来了，现在在准备测试方案，不知道实际芯片是如何测试负载调整率的，希望有相关经验的前辈指点，不胜感谢！
并且能否指点提高LDO负载调整率的关键所在，要求有点多

理想源不准
变化电源负载测试，看输出电压

仿真可以用sw切换负责电阻测试可以用电子负载

提高LDO负载调整率有两种办法,(1)提高带宽,提高slewing rate,(2)加大输出电容.

保持电源电压不变，改变负载电流的大小，测量输出电压即可。注意需要从芯片的PIN测量以避免连线电阻造成的电压DROP。

四楼的，我认为负载调整率只是DC特性和你所说的两项无关。加大环路GAIN对负载调整率才有好处。

忘记说了，这个LDO预定连接的负载有VCO，频率约为2.485GHz，输出电流摆幅有20mA

请问 负载调整率的负载应该在多少时间内变化?一个us还是10个us,比如负载从100mA变化到500mA 应该在多少时间内达到500mA?
谢谢

正解

我顶我顶我顶顶顶
我顶我顶我顶顶顶

1us就可以……或者100ns，时间太长就不准了……

为什么说不准呢?如果跳变时间长点的话（eg：5us）那么明显电路的过冲就会小 11# luckyhuihui666

hao dong xi aa

受益匪浅啊，了解了

测量输出电压即可

跑出图形来 要怎么计算呢 load regulation?