请教高手这个bandgap的启动问题，内附详图

个人观点,电路中存在高阻节点,理论上BG可能不能启动,所以加入图3的结构

这个问题还没弄明白，请大家指点。

像这样的基准 最好都要加上启动电路
尤其是第二个
不加启动电路很容易出问题
环路增益大些，出问题的几率少点
点三个电路看似多余的部分就是启动电路
至于原理。LZ自己琢磨吧

1 MS不需要。3是在供给BGR core总电流的上拉P管关断的情况下，从下面给BGR core注入电流。之后Start up关断。

都不需要启动电路。是否出现启动问题主要看 bandgap core 的bjts是否有被关断的可能性.

图1和图3是真实芯片里面的电路,不过用上了chopper
通过大家的讨论我想到了一个可能性，就是当二极管低于阈值电压时，不是完全截至的，可以当做电阻很大负载的情况，
这就是说，有可能有低于阈值电压的简并点，并且运放的反馈被建立起来了，就是说运放的两端电压相等而且低于阈值电压
。这就是图3左边偏置电路的用意。
但问题又来了既然图3有这个问题，图1应该也有啊，但图1并没有用启动电路,迷惑啊！

图一和图三的 VB 是同一个吗?

看完大家的讨论有点无语......

hehe其实每一个都需要启动成分在里面...................
图一其实也包含了启动成分在里面,至于启动电路的做法则是从偏置电压VB 处着手,你要设定好VB所能对应启动电流的大小,从而可以省略掉看似没有启动电路的做法.... 所以说你Bias电路启动电路一定需要添加,另外既是当 REF电路没有启动时,你的VB所能灌入BJT电流的大小是需要注意的.
另外图一的做法会引入一定的system offset...,所以Loop Gain需要...
图二是需要添加启动的,不加的话则很容易出问题...
图三就不说了

想的不是很清楚，

图1和图3是真实芯片里面的电路,不过用上了chopper
通过大家的讨论我想到了一个可能性，就是当二极管低于阈值电压时，不是完全截至的，可以当做电阻很大负载的情况，
这就是说，有可能有低于阈值电压的简并点，并且运放的反馈被建立起来了，就是说运放的两端电压相等而且低于阈值电压
。这就是图3左边偏置电路的用意。
但问题又来了既然图3有这个问题，图1应该也有啊，但图1并没有用启动电路,迷惑啊！

都没有启动电路，都应该有。因为Op的电流源都没有被提供出来。一般情况下，电流源是由Bandgap提供的，但是bandgap的启动又会依靠Op是否能够正常工作，所以在电路最开始的时候，如果没有电流源是不行的。
第三个电路左下角的电路是用来保证电路启动后，帮助OP的直流工作点达到需要的要求用的。因为这个Op的CMRR不是Rail-to-Rail的，这个电路帮助电路在启动后瞬时间内让Op正常工作

完全同意wind2000sp3的观点，前面两个电路在公司里面根本通不过审核，无论你辩解的多精巧。
第三个电路的启动电路也许会耗费一点电流，在地功耗设计中是要改进的。最简单的办法就是把两个diode-connected的PMOS和NMOS都分别反接，上面的PMOS的沟道长度很小，宽度很宽，下面的NMOS的沟道场都很长，宽度很小，那么通过这个支路的漏电电流就足可以把整个电路带动起来了，而且耗费在启动上面的电流最多只有100pA。这个设计在大批量生产（上亿颗的出货量）的芯片中已经得到验证了，不过当初我做的时候老板还是不满意我冒这样的风险，不过还好，没有出现不启动的情况。

谈到启动问题的时候,首先应该区分好两种启动情况:
1.是需要跟随电源的爬升启动的
2.是电源已经ready,当使用Enable信号控制这个block的启动问题
不知小编是1还是2?

对于上面的问题，Enable信号从哪里来?数字部分还没起来啊?从应用板上的电钮中来?
所以第二中启动的状况不是bandgap关注的情况。

在一些SOC设计中是会出现第二种情况的

谢谢大家的热情帮助和解答！

启动电路已添加


谢谢，终于搞明白了，原来图1一开始运放的偏置电路建立得很快，于是便通过输出级的pmos向二级管流 过电流，或者说把输出点的电压拉高，从而启动bandgap。 ,这种做法的环路增益和PSRR是没图3的高,因为运放第二级输出点的阻抗被降低了。


同意你的看法


第一个电路应该还是能正常工作的，其实有个斩波的部分我没画出来，但相信影响不大


第一个电路是跟随电源的爬升启动的，而第三个电路是ENABLE控制启动的，它的启动电路可以把电源ready后不启动的状态变为启动。对于第一个来说，如果电源ready后还不启动，就没法了。

为了防止2009这个号也像2008那个号一样变成“禁止访问”，还是应该参与一下论坛的谈论比较好。
回答会有信元吧?
观点与amazehe相同，不过看了好久这个电路，总想写下来
我认为：
设第二级输出为VO。电阻R1（左）；R2（右上）,R3（右下）。
整体来讲，V+是VT+（VO-VT)*R3/(R2+R3),作为反馈输入；V-是VT，作为参考。VO与V+反向，使输出稳定。电阻与BJT是温漂较小。
第一个的电路应该不存在启动问题，内置电流源是自启动的，VO直接反馈到V+。
第二个的电路存在启动问题，当VO小于VREF+VTmos时，射级输出器停止，输入V+的电压电流由VREF逆向提供，V+随温度的变化截止到VO，无法反馈回来，所以电路失效。
第三个的电路就是在射级输出器停止工作时，提供一个电流，强迫V-升高，使VO变大，从而射级输出器工作，电路进入正常状态，启动电路停止。
输出电压：[(V+)-(V-)]*gm=VO，带入的话可以算出输出电压。
本人新手，有错误敬请原谅。好多名词不认识，乍一看简并还以为是量子力学呢。

Thank you very much.

有点儿启发！谢谢各位！

学习了！

学习一下

受教了！
疑惑的是，电路的最原始偏置来源有点简单化，估计这类型基准的应用场合不符合低功耗要求。

基本上不用

学习了1！

好像都有启动电路啊！

图没了！

看了这么久，感觉怪怪的，其实都有启动电路在里面，兄弟们。
启动电路就在电路图中间的位置，两个DIODE连接的P,N管，并用一个电阻连接，
电阻用来控制通路电流，不过这个电流没有没用到bjt的偏执电路中，有点浪费而已。
希望大家讨论。

Circuit 1 to 3 need startup circuits, without startup, sometimes the circuit can start, sometimes it cannot. The circuits are not so robust and reliable. What is the startup time for the circuit 1-3 to settle to the bg voltage?