请问在mim电容下放器件需要注意哪些呢？thanks
我准备用smic .13或tsmc.18 1p6m rf工艺，
需要在mim电容下面放器件来节省面积，
有这么做过的大大讲下需要注意哪方面呢?
谢谢
比如电容匹配性影响，寄生电容影响等
如何精确计算评估这些寄生影响
及后仿如何提取出这些参数影响呢。
说说个人的看法，
1 就mismatch来说，下面的器件影响，例如是否平坦，最好有foundry的数据。
2shielding是必需的 例如用3M?
3 寄生电容的影响必须要仿真确认，不知道您们有没有2D或者3D的寄生参数计算工具。
哦。3x，可否详细点呢
1.foundry只是说可以放，但是风险大?这个平坦度评估，对mismatch的评估foundry有文档么?
2.恩，shielding是要加的
3.但是加了shielding之后，寄生电容是手动计算么?仿真时因为model里边是没有这方面信息的，后仿不知道怎么加进去，你说的2d，3d寄生参数计算工具指什么工具呢，很准么?
我们好像只有cadence
>1.foundry只是说可以放，但是风险大?这个平坦度评估，对mismatch的评估foundry有文档么?
foundry一般没有吧。有的话，也只能作参考。可能要做了才知道。我倒是听说有人在下面布电源的。不过，你这太aggresive了
>你说的2d，3d寄生参数计算工具指什么工具呢，很准么?4 N' W( X6 o; Y: h, o/ n
例如synopsys的Raphael.应该还是可以信任的，我想。
中频滤波器，电容太占面积了。
要在下面放器件节省一下面积。
有好多公司是这样做的，但是不知道他们怎么考虑的
wait for profound explanation！
这几天开始准备动工了。认识一个朋友是在mim电容下面放的moscap。
小编你太有才了
哦。3x
我去问一下smic。
101ddddddddddddd
ddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddddd
meiqianle buhaoyisi
buhaoyisimeiqianledingqi
dingqi
smic 没有提供，只是说可以放，但是不建议放，怕出问题
不过有个朋友公司一直在下面放器件，除了对noise失配敏感的器件不放
也没有什么特别的考虑
学习中
学习中
如果电容不要求很精确的话，下面放没什么关系。
例如滤波用，MIM+moscap构造大电容。
下面放器件的话，是担心器件对电容的影响?还是担心电容对器件的影响?
从物理结构上来说，主要是mim下极板和下层器件之间的寄生电容，后仿提参数吧。
具体情况要具体分析才行，这样说不清楚。
上面的朋友能发发raphael的资料吗?谢谢！
在MIM电容下放其他模块的版图时，一定要注意N阱，其实还是应该理解版图的意义，多从cross-sectio去理解就会好很多。
如果用M3作shielding, M1和M2作下面的device的连线,M4和M5作电容的上下极板,那是不是需要5层metals?
thanks
这个说得好。后仿估计提不出来这个寄生吧?
另外还要看电路工作的频率。
下面放moscap，放电阻，放组合逻辑，我都干过。
推2樓
当然可以放。我做的电路电容全部都是放在器件上的，包括LNA的输入电容都是，要不然电容也太占面积了。寄生是首要考虑的问题，不过手算一般都没问题，最好算保守一点。
btw：我用过的工艺有smic110nm和tsmc110nm，产品供货都是国际一线大厂，你放心用吧。
请问，mim电容下面没有器件，不过这个电容时电路中的敏感电容，需要再此电容下面做dnwell吗?