比较器MC仿真问题
你看的是哪些参数?
我仿的是比较器的失调电压
MC仿真主要还是看分布，可能本来有一点系统offset，mismatch 造成的offset有可能一定程度上补偿了
你要先说说你的比较器的结构。静态的或者动态的。vdd=?, 工艺?
个人觉得后仿比前仿效果好，有点无法理解。
谢谢你的回答。前仿真和后仿真的分布都是呈高斯分布形状，但是前仿真的结果中均值和方差的值没有达到要求，后仿真达到了，想问一下后仿真的仿真结果能作为最后仿真结果给出，还是需要调整比较器的参数，使前仿真结果也达到指标要求啊?
比较器为动态的，vdd=1.8V，TSMC0.18CMOS工艺。
具体点，前后仿均值方差分别多少?仿了多少次?
前仿真：均值=8.8mV ，方差=12mV；后仿真：均值=2.7mV，方差=0.2mV。
前仿真和后仿真都跑了200次
不大可能是实际情况，看后仿的结果基本就是接近理想了，TSMC的PDK里mismatch是要用_mac器件的，后仿调用的是普通器件?
不是普通器件啊，调用的是做MC仿真所用到的_mis器件。
你说的后仿真结果基本接近理想了，请问下这种理想情况是一种什么情况，怎么得到这种理想情况的?我做的比较器是动态结构，用于4位ADC中，而ADC的量程为400mV，那么LSB=25mV。是不是我做MC仿真时，失调电压的表达式写错了?
你说的后仿真结果基本接近理想了，请问下这种理想情况是一种什么情况，怎么得到这种理想情况的?我做的比较器是动态结构，用于4位ADC中，而ADC的量程为400mV，那么LSB=25mV。是不是我做MC仿真时，失调电压的表达式写错了?
你说的后仿真结果基本接近理想了，请问下这种理想情况是一种什么情况，怎么得到这种理想情况的?我做的比较器是动态结构，用于4位ADC中，而ADC的量程为400mV，那么LSB=25mV。是不是我做MC仿真时，失调电压的表达式写错了?
你说的后仿真结果基本接近理想了，请问下这种理想情况是一种什么情况，怎么得到这种理想情况的?我做的比较器是动态结构，用于4位ADC中，而ADC的量程为400mV，那么LSB=25mV。是不是我做MC仿真时，失调电压的表达式写错了?
前方12mv，后仿0.2mv，感觉很可能后仿哪里出了问题
我也是这个感觉。
你检查下后仿的netlist吧，看看调用mosfet的model是什么，是不是_mis
你好，你说的“你检查下后仿的netlist吧，看看调用mosfet的model是什么，是不是_mis”这个怎么操作?谢谢指导！
看看你仿真生成的网表，一般是在xx/simulation/YOUR_TESTBENCH/spectre/config/netlist/input.scs
你好，查看了后仿的netlist，mosfet的model是普通的管子，没有带_mis，这是怎么回事啊?怎么可以调整过来。
我一般是写个脚本修改网表替换_mis器件
好问题！
小编，我最近也在研究比较器，你仿比较器都仿哪些参数?激励如何设置?共模电压给多大?
暂目前还只有仿真比较器的失调电压，电源电压1.8V，共模电压给的900mV