hspice 模型文件中迁移率u0 的求取

从hspice模型文件中读出的u0带到公式中i=1/2（U0 Cox W/L （Vgs-Vth）（Vgs-Vth））手算，发现和仿真结果相比，误差太大，请问u0的具体求法！
还有就是，hspice仿真后生成的.lis文件中beta的值是管子的U0 Cox W/L么?

beta值是 U0 Cox， 我也没算准过，一般差上几倍

U0在工艺库中会提到。0.35um工艺中给出的是463.674

平方律公式只对长沟道的器件有效, 对于1微米以下的器件这个公式算出来的结果和仿真结果相差很大很正常

还请多多赐教！

库文件里有啊，可是指望那个来算的话，结果会让你很郁闷

我知道库里面有，也知道用那个算出来的结果很郁闷！我想知道的是为什么会有这种差别的，还请赐教！

我们常用的计算公式，只是其中一中最简单的近似分析MOS的方法。
而仿真器里的近似方法，复杂的多。

Basically, hand calculation use first order approx. formula. however, in the simulator there is quite different especially in 0.18um and beyond process. In 0.18um cmos process, the results are not that much different around 30% range.

in side model file

My professor (a TI senior guy) gave us his routine design processes.The very first step is to determine the characteristics of the device of interest.The u0(k'), lambda, and vth are related to specific device dimensions.You can choose a short and a long channel lengths as typical design
parameters.Run simulation, read operating point data, and calculate needed values.The accuracy is quite good.The error between my theoretical estimation and the simulation is less than 5%.

谢谢，我试试看！以后还请大哥多多赐教！

因为U0的单位，要明白单位啊
SPICE里的值应该*E-4

模型里面有的

在1um以下的沟道短沟道效应明显加大，我们以前用的公式都是沟道较长时的近似公式，短沟道时公式不再成立，要计算时需要加上其它参数及高次项，手算很复杂

不好意思问一下那.35的栅氧厚度大概多少呢?

U0可以通过仿真得到。

学习学习，，，顶起