微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微波和射频技术 > RFIC设计学习交流 > mos管的线性区Ids可以大于饱和区的Ids吗?

mos管的线性区Ids可以大于饱和区的Ids吗?

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
mos管的线性区Ids可以大于饱和区的Ids吗?

不可以

相同VGS下,不可以
但如果线性区VGS比较大,还是可能的

好像是这样。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top