关于power cut cell 中diode的类型的疑问
时间：10-02
整理：3721RD
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请教各位，power cut cell中的diode用哪一种类型的diode是最佳的?
1.比如说不同的power domain，VCC VDD之间的power cut cell肯定不能用非隔离型的diode，会latch up，那就只剩下deep nwell 下的diode和肖特基二极管。哪一种最适合做power cut cell?一般diode的尺寸怎么考虑?
2. 不同的地线之间如果要加power cut cell，应该就可以用非隔离型的diode了吧，反正都是地线，应该无所谓latch up，那选择就多了，P diff in nwell，nwell diode， deep nwell等等，哪一种是最佳的选择?
因为一直用SMIC的IO lib，没有具体的GDS和SCH，所以不知道这个器件用的是什么。希望有了解情况的给我些帮助谢谢^_^
1.比如说不同的power domain，VCC VDD之间的power cut cell肯定不能用非隔离型的diode，会latch up，那就只剩下deep nwell 下的diode和肖特基二极管。哪一种最适合做power cut cell?一般diode的尺寸怎么考虑?
2. 不同的地线之间如果要加power cut cell，应该就可以用非隔离型的diode了吧，反正都是地线，应该无所谓latch up，那选择就多了，P diff in nwell，nwell diode， deep nwell等等，哪一种是最佳的选择?
因为一直用SMIC的IO lib，没有具体的GDS和SCH，所以不知道这个器件用的是什么。希望有了解情况的给我些帮助谢谢^_^
