关于90nm迁移率的问题

cadence中仿真得到的nmos参数中可以看到 迁移率为u0=0.38 cm^2/V*s而看到0.18工艺库中 nmos的u0大概在422 左右
请问下怎么会差这么多，单位也完全一样。

cm变成um了?

不对不好意思当我没说

您也在cadence 中看过吗?

按照半导体物理计算一下即可

对半导体物理不是很熟悉，能请给个大概计算公式吗?　　谢谢你

后面还有10^3吧

单位不一样

看错了吧LZ，在我用的90nm的model里，u0=0.036，单位是m^2/(V*s)。 栅氧厚度tox=5.54nm，
计算得到的NMOS的unCox约等于275uA/V^2, 和仿真结果相符。
敬请LZ仔细核查

嗯嗯

您好，您看下，这是我仿真结果。不知道是否准确?
单位我也希望是m^2/v*s
另外，tox在90nm 应该在2左右吧

cadence中的单位和我计算的不一样不知道什么问题。

Hi lishiliang,
So what's your 90nm spice model version and when its' updated?

学习中！

It's an old version, year 2008..............

It's the same model with mine, as I know there is a newer model: DOC. NO.:T-N90-CM-SP-016 and DATE: 09:51PM, Nov. 25, 2011
I really need this newer one, but it seems impossible for me now.