NMOS LDO，动态零点补偿，极限phase仅一二十度，向高手请教

各位大牛好：
背景：
需要做一个NMOS pass transitor的LDO，pass transitor power 2.3V, LDO output 1.8V，error amplifier power 5V;
LDO 带loading能力要求400mA, LDO 空载静态功耗要小,大概20uA-30uA，LDO dropout voltage要小，typical 200mV，die size要小；
LDO output接10uF电容，对load transient要求高，要求load transient 要尽可能小，目标设计值50mV;
问题：
目前nmos ldo最难设计的就是补偿了，问了一些朋友，主要是采用美国一篇专利的技术：引入一个动态的零点，从空载到重载400mA
这个动态零点跟随loading变化，消除次主极点；但因为无法精确跟随，只能补偿个大概其，最坏的情况出现在两个主次极点重叠的区域（loading大概10mA左右吧），此时零点就放在重叠的区域，把最worst 的case好好补一补，此时tt corner phase只有30度左右，极限corner更差，只有一二十度；朋友就采用这种技术，但芯片回来测试没有问题，还成功量产卖了几百K了；
请教：
向高手请教有没有NMOS LDO动态零点补偿专利(专利找不到了)或者实际量产成功的paper或者资料；
还有这种要求的LDO，phase极限情况只有十几度，对量产而言还是有风险的，不知道有没有更好的方法满足背景中的LDO要求。

动态补偿不可能做到那么准 我做过1uF 10uF最差30度差不多了

NMOS输出电容负载应用一般范围比较大的，你动态补偿都能兼顾吗?还有这么低的功耗，想要做50mV的动态响应估计有点困难啊

确实，动态补偿不可能太准，phase最坏二三十度，整个full loading总有一个中间端phase很差。
load transient要越小越好，具体指标多少，客户也没提，就算50mV也非常小了，比较难多。
请问2楼，3楼，有没有动态补偿的专利或者paper，google patent登录不了，也没法找

求相关论文