请问片内LDO结构哪种好？10mA负载2nF电容
时间：10-02
整理：3721RD
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想做一个片内的LDO，0~20mA负载 0~2nF电容 5.5-1.62V 降压到1.2V请教各位大神，哪种结构比较靠谱。主要考虑省面积，谢谢！
20mA负载不大，相对简单。
一般的pmos加一级运放能搞定么?
可以搞定，最多你再增加一个零点
主极点放在哪比较合适?
还是说有别的结构可选?
20mA负载不大，相对简单。
一般的pmos加一级运放能搞定么?
可以搞定，最多你再增加一个零点
主极点放在哪比较合适?
还是说有别的结构可选?