为什么nmos的vth受器件length的影响比pmos管大？

还可以啊。

没有感觉差这么大，应不超过一倍吧
nmos和pmos的工艺参数不同，比如 doping不一样

不能这么讲, 有可能不同的L范围, 变化量有区别,这和 器件采取SURFACE CHANNEL, BURIED CHANNEL, 有没有HALO IMPLANT, TIP IMPLANT, STI CORNER 的形状等等,工艺参数密切相关的.

这是我放真到的，smic 0.18um 3.3v 器件的特性。

3.3v 器件 变化有这么大?
你仿真的方法呢?

扫描参数从0.6u到2u，查看.op结果vth值。

我一般都是二极管连接 然后加个理想的电流源

nmos的迁移率比pmos大
I=0.5*uCox(W/L)(Vgs-Vth)^2*(1+入Vds）
由于un>up，所以其他参数相同时，nmos受Vds影响大
个人意见，欢迎指正。