华虹BCD35能实现5V高压隔离型ESD吗?
时间:10-02
整理:3721RD
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想请教个问题,华虹BCD35 里面nl40和pl40(高压隔离标准5V MOS)也能按照design rule来做高压隔离ESD吧?请指点谢谢!
这个工艺我用过,你说的是5V,外面加高压隔离环,抗噪声很好,最好不用于ESD隔离,BCD35有专门的高压ESD管,特别是量产,出问题,HHNEC不管。
谢谢! 有的情况下需要使用高压隔离型ESD,例如一边PAD是20V,另一边PAD是25V,相差仅5V,而且这两个PAD之间是隔离型高压5V管。
一般高压隔离型5V管也能实现GGNMOS或者GDPMOS吧?结构和一般的标准5V管类似,只是在高压nwell/nbl里。