关于CSMC0.5um工艺的MOS管的温度系数问题

最近在学习电流源的设计，看文献中提到过将电阻和MOS管的温度系数抵消的话就可以产生一个和温度无关的电流源偏置了，但是不清楚这个工艺下或者说MOS管的温度系数该怎么看?还有关于不同电阻的温度系数问题。

由于温度系数会根据不同的长宽修正，最直接的方法莫过于跑个仿真，从曲线里提参数了。

恩 谢谢你的回答。这样理解，对单独的管子进行仿真?扫描temp，从曲线里能看到趋势，但是如何看具体数据，以和电阻温度系数抵消呢?

id对温度的导数就是温度系数啊。

和温度无关的电流源
一般來說如果 bandgap current 設計夠好可以 IPTAT 就可以無關.
但是 溫度要求
-40 ~ 150 度都要不變?
還有 多少算穩定 ?多少 ppm ?
如果 bandgap +温度系数抵消一般是 n_well resistor + poly_resistor
去合成一個低溫度
也有些 process HR 有特殊低溫度系數但是 ,阻值低 記得是 400~500 Ohm/square ,
雖然可以使用這得到 低溫度系數+ bandgap 就可以得到 低溫度系數電流,
但是 一般使用低溫度系數 那本來HR1k/ hr2k/ hr3k沒得使用了

请教一下nwell R和 poly R合成一个低Tc R的原理是什么?效果明显否?

HR poly負溫度系數 +n_well正溫度系數 .抵消阿
你自己去看 spice modelTC1TC2 就知道 .

哦哦，忘记nwell r是正温度系数了，刚才没过脑子，谢谢。

这种做法其实是不太可行的，因为是两种不同的电阻，他们之间的匹配是个问题。

nwell R 和 poly R 匹配有点问题，但是 nwell+poly R和nwell+poly R 匹配问题不大吧。

well电阻不及poly电阻啊，而且电压系数也不小。

电压系数是个问题，凡事有利有弊吧。