扩散电阻阱连接

问一下，对于N Well里面的P+扩散电阻，N well 是应该浮空还是接VDD? 因为用到的电阻阻值较大（1M以上），所以面积较大，如果N well接高电平的话，阱和衬底的反偏二极管会不会功耗太大?（本设计的功耗较低，1uA以下，0.5um工艺）

为什么不用poly?

poly也用了，主要用来做温度补偿。