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偏执电压

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
我想为NMOS提供一个218mv的偏执电压,让其工作在亚阈值区,如何设计一个偏执电路?
其实最好是能从电路本身找到这样一个偏执,大家有没有什么建设性意见?

218mv 你是怎么确定的呢?如果考虑全温度范围 这个值范围是?
如果再考虑 ss tt ff这个值又如何?

只能从单位w/L偏置电流的值来定 亚阈值

尝试出来的,在218m的时候bandgap的温度系数最好!

偏执 电压一般调节管子的宽长比 来实现的

从1.2Vbandgap电压分压来产生

主要考虑的是工艺变化的影响还是温度的影响啊
NMOS是工作在全corner的218m性能最佳?
还是在218m下的电流性能最佳?

有哪个偏置能提供精确的偏置电压呢?无论怎样,PVT变化都会有影响的。Bandgap都做不到。想让管子工作在亚阈值区,电流一定的情况下把W/L调大就好了,一般达到gm/id大于16就可以,不过这也得看你的具体设计是什么

学习中

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