CMOS工艺中的BJT性能问题~~

刚看到一篇过温保护的paper,作者说标准CMOS工艺中的BJT性能较差，请问各位是什么原因呢?

标准双极型的npn是垂直结构，集电极包围着基区，这样集电极收集发射区注入基区电子的能力提高，beta可达到100左右，而且NBL大幅减少了集电极电阻。

标准CMOS工艺中的PNP就是PMOS里面的横向寄生P+ NW P+结构，发射极电子只有大部分到达集电极，其beta较小在几左右