低功耗管子尺寸的问题

电流很低时（如60nA），仍要保持饱和工作，这样会出现W/L=1/10的比例，我知道这会引起窄沟道效应，出了这个以外，还会有什么不良影响么?有谁做过低功耗芯片（模拟的）的反相设计?别人（大公司）也这么做么?

首先，L=10是长沟，没有短沟效应，只是这种比例的管子匹配稍差（相比10/1)。
其次，你电流这么小，如果W/L不够小，管子有可能进入亚阈值区。

小编说的是窄沟，不是短沟。
1/10的尺寸并不夸张，电流镜为了得到很好的匹配，需要大的Vgs，取1/10也是正常的。要看什么工艺，对于0.18um或更小尺寸工艺，w=1um也不是很小了，窄沟效应有那么严重吗?这个我不清楚。
60nA电流容易受噪声和干扰的影响，这在仿真中很难看出来，实际效果还要看流片的结果。

谢谢，我们用的0.13工艺，w达到0.5u（保证L不超过最大值）。怕流片有问题。

关键还是看应用吧，如果是一个低速低精度的东西，可能影响不大
我们的芯片中偏置电流也是100nA以下，也没有出现什么问题

如果L超过最大值，可以用两个MOS串联来达到吗?

看衬偏对阈值的影响是否可以接受，一般都可以串联。个别电路会影响性能。