求分析一篇Silicone Laboratories的电流基准专利
时间：10-02
整理：3721RD
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上边这篇专利应该是用了VT/R技术，但与GRAY书上（下边）的有很大不同，专利上面不是一对Current mirror，这样工作点应该怎么分析呢?
跟Gary 的一样，没看出有什么不同，就是费了挺大的劲把电流做的更准点。
里面最让我难以理解的是N管2005的栅极接地，这样不就让流过N管2010的电流非常小了吗?这样怎么达到他想要的工作点呢?
在GRAY的书里面Iin=Iout，但在专利里面并没有强制流过N管2010的电流和流过电阻2025的电流相等，这时候静态工作点是怎么确定的呢?
感觉 2005 是 P管才合理啊
可明显不是P管啊，上面N管P管分得很清楚。
万一是耗尽管呢?
如果是耗尽型，请问你能推出它的工作点吗?谢谢！
顶一顶，不要沉了，让更多人看到。
额，没有大神愿意回答吗?