问下MOS器件栅极为什么用多晶硅而不直接用金属呢

工艺上更容易实现、

自对准工艺，要求的温度金属达不到。

45nm以下是金属栅

《微电子概论》关于硅栅MOS结构和自对准技术的描述

谢谢大家我学到了

学习了，查了下资料：多晶硅可以安全的受住退火源/漏注入需要的高温，所以它可以作为自对准生成源极和漏极的掩膜

好东西啊